фотодиод InGaAs небольшой области 1100nm-1650nm с типом SC обломока детектора InGaAs
Фотодиод InGaAs небольшой области 1100nm-1650nm использует обломок детектора InGaAs, и отличает потреблением низкой мощности,
небольшая темная настоящая, высокая чувствительность, большие линеарности, компактный дизайн и небольшой том.
Оборудование наиболее обыкновенно использовано в приемниках CATV, аппаратуре обнаружения силы и приемниках оптически сигнала для сетноых-аналогов систем.
Абсолютный максимум оценок
| Параметр | Символ | Оценки | Блок |
| Температура хранения | Tstg | ~40 〜 +100 | °C |
| Рабочая температура | Верхняя часть | -40 〜 +85 | °C |
| Максимальная сила входного сигнала | Pmax | +4 | dBm |
| Рабочий потенциал | Vop | 5 | V |
| Обратное напряжение PD | VR (PD) | 25 | V |
| Паяя Temp | - | 260 | °c |
| Паяя время | - | 10 | s |
Оптически & электрические характеристики
| Параметр | Символ | MIN. | Тип. | Максимальный. | Блок | Условие испытаний |
| Диапазон длины волны | λ | 1100 | - | 1650 | nm | - |
| Ряд силы | P | -70 | - | +4 | dBm | V=5V |
| Активный диаметр | Объявление | 75 | um | - | ||
| Темное течение | Id | - | 0,2 | 0,5 | nA | - |
| Responsivity | R | - | 0,85 | 0,90 | A/W | 入 =1310 nm |
| 0,90 | 0,95 | 入 =1550 nm | ||||
| Ширина полосы частот частоты | Bw | 1 | 2000 | MHz | ||
| Частота откликов | Fr | - | 土 0,5 | - | dB | |
| Емкость | Ct | - | 0,65 | 0,75 | Pf | - |
| Время на ответ | Tr | 0,1 | - | ns | - | |
| Потеря возвращения | R1 | -45 | dB | |||
| cso cso | - | - | -70 | - | dBc | 45~860MHz |
| CTB CTB | - | - | -80 | - | dBc | 45~860MHz |
Hicorpwell профессиональная штепсельная вилка в модулях диода фотодетектора InGaAs коаксиальных (сетноой-аналогов оптически активной штепсельной розетке РОЗА заткнуть внутри)
изготовитель в Китае. Мы также обеспечиваем лазерные диоды бабочки, диод детектора лазера отрезка провода InGaAs коаксиальный, коаксиальный прибор лазера диода отрезка провода
и больше.
Штыревая идентификация 5.PD:
